Samsung hat am 30. Mai 2018 den Beginn der Serienfertigung von 32-GB-DDR4-SO-DIMMs für Gaming-Notebooks angekündigt. Die Module erreichen DDR4-2666. Zwei davon ermöglichen 64 GB Arbeitsspeicher, sofern das Notebook diese Bestückung unterstützt.
Auf jedem Modul sitzen 16 DRAM-Chips mit jeweils 16 Gigabit, verteilt auf Vorder- und Rückseite. Samsung bezeichnet das Fertigungsverfahren als 10-nm-Klasse. Gemeint ist ausdrücklich ein Bereich von 10 bis 19 Nanometern, nicht eine exakt benannte 10-nm-Struktur.
Vergleich mit dem eigenen 16-GB-Modul von 2014
Samsung nennt gegenüber seinem 16-GB-Modul aus dem Jahr 2014 eine um 11 Prozent höhere Geschwindigkeit und rund 39 Prozent bessere Energieeffizienz. Das sind Herstellerangaben zum Speicher, keine gemessenen Vorteile bei Spiele-Bildraten oder der gesamten Notebook-Akkulaufzeit.
Für zwei 32-GB-Module nennt der Hersteller weniger als 4,6 Watt im aktiven Betrieb und 1,4 Watt im Leerlauf. Einen Verkaufspreis nennt die Mitteilung nicht.
Bei der PM971-NVMe hatte Samsung bereits 2016 mehrere Speicherkomponenten in einem BGA-Gehäuse zusammengefasst. Dieses Bauteil ist ein SSD-Speicher, kein austauschbares Arbeitsspeichermodul.